Антава

MICROCHIP

Транзистор APT10M11LVRG

APT10M11LVRG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 5®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
400 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT10M11LVRG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation520 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge450nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A

Документация

Документы пока не предоставлены.