Антава

MICROCHIP

Транзистор APT102GA60B2

APT102GA60B2
Type of transistor
IGBT
Technology
POWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
102 A
Power dissipation
780 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT102GA60B2
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyPOWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current102 A
Power dissipation780 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current307 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge294nC
Kind of packagetube
Turn-on time64ns
Turn-off time389ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.