Антава

MICROCHIP

Транзистор APT100GT120JR

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
67 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT100GT120JR
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current67 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
ТехнологияNPT, Thunderblot IGBT®
Kind of packagetube
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B

Документация

Документы пока не предоставлены.