Антава

MICROCHIP

Транзистор APT100GN120B2G

APT100GN120B2G
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
100 A
Power dissipation
960 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT100GN120B2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current100 A
Power dissipation960 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge540nC
Kind of packagetube
Turn-on time0.1µs
Turn-off time935ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 100A; 960W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.