Антава

MICROCHIP

Транзистор APT1003RBFLLG

APT1003RBFLLG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 7®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяAPT1003RBFLLG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation139 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge34nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.