Антава

MICROCHIP

Транзистор APT1001RBVRG

APT1001RBVRG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 5®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
11 A
Pulsed drain current
44 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT1001RBVRG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current11 A
Pulsed drain current44 A
Power dissipation280 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A

Документация

Документы пока не предоставлены.