ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Транзистор AOTF20B65M1
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 20 A
- Рассеиваемая мощность
- 18 W
- Корпус
- TO220 F
- Gate-emitter voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 554 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%398,87 ₽
Сумма · с НДС 22%398,87 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 398,87 ₽ | |
| от 5 | 360,97 ₽ | |
| от 25 | 319,46 ₽ | |
| от 250 | 288,78 ₽ | |
| от 1000 | 286,97 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | AOTF20B65M1 |
|---|---|
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 20 A |
| Рассеиваемая мощность | 18 W |
| Корпус | TO220 F |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 60 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 46nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 51ns |
| Turn-off time | 166ns |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.7 V |
| Turn-off switching energy | 0.27mJ |
| Turn-on switching energy | 0.47mJ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 20A; 18W; TO220F; Eoff: 0.27mJ; Eon: 0.47mJ
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.