ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Транзистор AOTF10B60D
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 10 A
- Рассеиваемая мощность
- 16.7 W
- Корпус
- TO220 F
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 380 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%322,53 ₽
Сумма · с НДС 22%322,53 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 322,53 ₽ | |
| от 5 | 288,30 ₽ | |
| от 25 | 255,87 ₽ | |
| от 100 | 230,64 ₽ | |
| от 500 | 214,42 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | AOTF10B60D |
|---|---|
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 10 A |
| Рассеиваемая мощность | 16.7 W |
| Корпус | TO220 F |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 40 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 17.4nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 25ns |
| Turn-off time | 80.8ns |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.53 V |
| Turn-off switching energy | 0.16mJ |
| Turn-on switching energy | 0.35mJ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 16.7W; TO220F; Eoff: 0.16mJ; Eon: 0.35mJ
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.