Антава

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор AONS66609T

AONS66609T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
313A
Power dissipation
258W
Корпус
DFN8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAONS66609T
ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current313A
Power dissipation258W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.25mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; 258W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.