Антава

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор AONS66609

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
AlphaSGT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
304 A
Pulsed drain current
880 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAONS66609
ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияAlphaSGT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current304 A
Pulsed drain current880 A
Power dissipation86 W
КорпусDFN5x6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 304A; Idm: 880A; 86W

Документация

Документы пока не предоставлены.