ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Транзистор AOK40B65H2AL
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 40 A
- Power dissipation
- 105 W
- Корпус
- TO247
- Gate-emitter voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 208 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%457,78 ₽
Сумма · с НДС 22%457,78 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 457,78 ₽ | |
| от 5 | 385,60 ₽ | |
| от 10 | 341,91 ₽ | |
| от 30 | 319,11 ₽ | |
| от 60 | 309,62 ₽ | |
| от 90 | 305,82 ₽ | |
| от 150 | 302,02 ₽ | |
| от 240 | 296,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | AOK40B65H2AL |
|---|---|
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 40 A |
| Power dissipation | 105 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 61nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 64ns |
| Turn-off time | 152ns |
| Collector-emitter saturation voltage | 2.05 V |
| Turn-off switching energy | 0.54mJ |
| Turn-on switching energy | 1.17mJ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.