ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Транзистор AOD6B65MQ1E
Фото недоступно- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650V
- Collector current
- 6A
- Power dissipation
- 38W
- Корпус
- TO252
- Gate-emitter voltage
- ±20V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | AOD6B65MQ1E |
|---|---|
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Collector current | 6A |
| Power dissipation | 38W |
| Корпус | TO252 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 18A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 13.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.