Антава

INFINEON

Транзистор AIMZH120R040M1TXKSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
39 A
Pulsed drain current
140 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAIMZH120R040M1TXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current39 A
Pulsed drain current140 A
Power dissipation134 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...23 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W

Документация

Документ производителя