Антава

INFINEON

Транзистор AIMW120R060M1HXKSA1

AIMW120R060M1HXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
26 A
Pulsed drain current
74 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAIMW120R060M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current26 A
Pulsed drain current74 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-7...23 V
On-state resistance113 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 74A; 75W; TO247

Документация

Документ производителя