Антава

INFINEON

Транзистор AIKB30N65DF5ATMA1

AIKB30N65DF5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
55 A
Power dissipation
188 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAIKB30N65DF5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current55 A
Power dissipation188 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 188W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.