Антава

INFINEON

Транзистор AIGB50N65H5ATMA1

AIGB50N65H5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Power dissipation
305 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAIGB50N65H5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Power dissipation305 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.