ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG543EGS4FRATCB

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -28 A
Power dissipation: 36 W
Gate-source voltage: -20...5 V
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	AG543EGS4FRATCB
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-28 A
Power dissipation	36 W
Gate-source voltage	-20...5 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -28A; 36W

Документация

Документы пока не предоставлены.