Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG542EGS4FRATCB

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-67 A
Power dissipation
75 W
Gate-source voltage
-20...5 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAG542EGS4FRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-67 A
Power dissipation75 W
Gate-source voltage-20...5 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -67A; 75W

Документация

Документы пока не предоставлены.