Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG540EGS4FRATCB

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-120 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Gate-source voltage
-20...5 V
On-state resistance
4.6 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 91 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%341,99 ₽

Сумма · с НДС 22%14 705,57 ₽

От 43 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 43341,99 ₽
от 50319,93 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG540EGS4FRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-120 A
Рассеиваемая мощность150 W
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance4.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; 150W

Документация

Документы пока не предоставлены.