Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG533EES4FRATCB

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-35A
Power dissipation
34W
Gate-source voltage
-5...20V
On-state resistance
28mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAG533EES4FRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30V
Drain current-35A
Power dissipation34W
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance28mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -35A; 34W

Документация

Документы пока не предоставлены.