ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG532EES4FRATCB

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -85 A
Power dissipation: 75 W
Gate-source voltage: -20...5 V
On-state resistance: 10.3 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	AG532EES4FRATCB
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-85 A
Power dissipation	75 W
Gate-source voltage	-20...5 V
On-state resistance	10.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -85A; 75W

Документация

Документы пока не предоставлены.