Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG502EGD3HRBTL

AG502EGD3HRBTL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-68 A
Power dissipation
77 W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%182,35 ₽

Сумма · с НДС 22%14 952,70 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 82182,35 ₽
от 100165,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG502EGD3HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-68 A
Power dissipation77 W
КорпусTO252
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance13.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -68A; 77W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.