Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG502EED3HRBTL

AG502EED3HRBTL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-78 A
Power dissipation
77 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%184,95 ₽

Сумма · с НДС 22%14 796,00 ₽

От 80 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 80184,95 ₽
от 100167,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG502EED3HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Drain current-78 A
Power dissipation77 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -78A; 77W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.