Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG501EGD3HRBTL

AG501EGD3HRBTL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-80 A
Power dissipation
142 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%325,36 ₽

Сумма · с НДС 22%14 641,20 ₽

От 45 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 45325,36 ₽
от 50302,79 ₽
от 100285,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG501EGD3HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-80 A
Power dissipation142 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance4.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -80A; 142W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.