Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG185FGD3HRBTL

AG185FGD3HRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
80 A
Power dissipation
96 W
Корпус
DPAK, TO252
On-state resistance
3.2 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%325,59 ₽

Сумма · с НДС 22%14 977,14 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 46325,59 ₽
от 50233,12 ₽
от 100217,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG185FGD3HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current80 A
Power dissipation96 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 80A; 96W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.