ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор AG145FLS4FRATCB
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 120 A
- Рассеиваемая мощность
- 150 W
- Gate-source voltage
- ±20 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%355,56 ₽
Сумма · с НДС 22%14 222,40 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 40 | 355,56 ₽ | |
| от 50 | 335,70 ₽ | |
| от 100 | 319,46 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | AG145FLS4FRATCB |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 120 A |
| Рассеиваемая мощность | 150 W |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 55nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | single transistor |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; 150W; single transistor
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.