Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG140FGS4FRATCB

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Power dissipation
150 W
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%377,61 ₽

Сумма · с НДС 22%15 104,40 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 40377,61 ₽
от 50356,42 ₽
от 100337,15 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG140FGS4FRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Power dissipation150 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 120A; 150W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.