Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG096FPD3HRBTL

AG096FPD3HRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100V
Drain current
59A
Power dissipation
76W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAG096FPD3HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100V
Drain current59A
Power dissipation76W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.3nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 59A; 76W; TO252; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.