Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG085FGD3HRBTL

AG085FGD3HRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
80 A
Power dissipation
96 W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%317,84 ₽

Сумма · с НДС 22%14 620,64 ₽

От 46 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 46317,84 ₽
от 50227,57 ₽
от 100212,52 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG085FGD3HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current80 A
Power dissipation96 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 80A; 96W; TO252; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.