ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG050FPS4FRATCB

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 120 A
Power dissipation: 150 W
Gate-source voltage: ±20 V
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	AG050FPS4FRATCB
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	100 V
Drain current	120 A
Power dissipation	150 W
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	49nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 120A; 150W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.