Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор AG016FLH7FRATCB

AG016FLH7FRATCB
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
40 A
Power dissipation
62 W
Корпус
DFN8
Gate-source voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%182,35 ₽

Сумма · с НДС 22%14 588,00 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 80182,35 ₽
от 100165,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAG016FLH7FRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current40 A
Power dissipation62 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 40A; 62W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.