Антава

ONSEMI

Транзистор AFGY100T65SPD

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
100 A
Power dissipation
330 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAFGY100T65SPD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current100 A
Power dissipation330 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge109nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 100A; 330W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.