Антава

ONSEMI

Транзистор AFGHL40T120RWD

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
326 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAFGHL40T120RWD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность326 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 326W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.