Антава

ONSEMI

Транзистор AFGB40T65RQDN

AFGB40T65RQDN
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
169.68 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAFGB40T65RQDN
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation169.68 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.