Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор AB2M040120R

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
41 A
Pulsed drain current
123 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAB2M040120R
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current41 A
Pulsed drain current123 A
Power dissipation238 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 123A; 238W

Документация

Документ производителя