Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор A1P35S12M3

A1P35S12M3
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x3, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2kV
Collector current
35A
Корпус
ACEPACK™1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяA1P35S12M3
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge x3, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current35A
КорпусACEPACK™1
ApplicationInverter, motors
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current70A
Power dissipation250W
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 35A

Документация

Документ производителя