Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 60N06

60N06
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
55 A
Рассеиваемая мощность
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя60N06
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current55 A
Рассеиваемая мощность60 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.