Антава

ABB

Транзистор 5SNA 3600E170300

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
common emitter, common gate, transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
3.6kA
Корпус
HIPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя5SNA 3600E170300
ПроизводительABB
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurecommon emitter, common gate, transistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current3.6kA
КорпусHIPAK
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current7.2kA
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor,common gate,common emitter

Документация

Документ производителя