Антава

ABB

Транзистор 5SNA 1200G450350

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
common emitter, common gate, transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage
4.5 kV
Collector current
1.2kA
Корпус
HIPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя5SNA 1200G450350
ПроизводительABB
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurecommon emitter, common gate, transistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage4.5 kV
Collector current1.2kA
КорпусHIPAK
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current2.4kA
ТехнологияSPT+
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor,common gate,common emitter

Документация

Документ производителя