ABB
Транзистор 5SNA 1200G330100
HIPAKИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- common emitter, common gate, transistor/transistor
- Topology
- IGBT half-bridge x3
- Max. off-state voltage
- 3.3 kV
- Collector current
- 1.2kA
- Корпус
- HIPAK
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%555 958,18 ₽
Сумма · с НДС 22%555 958,18 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 555 958,18 ₽ | |
| от 3 | 503 766,19 ₽ | |
| от 9 | 469 727,93 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 5SNA 1200G330100 |
|---|---|
| Производитель | ABB |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | common emitter, common gate, transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge x3 |
| Max. off-state voltage | 3.3 kV |
| Collector current | 1.2kA |
| Корпус | HIPAK |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 2.4kA |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor,common gate,common emitter
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.