Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 4435

4435
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-11A
Power dissipation
2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя4435
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-11A
Power dissipation2.5W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.