Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 3401

3401
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-4.2A
Power dissipation
1.2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя3401
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-4.2A
Power dissipation1.2W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.