Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 3400

3400
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
5.6A
Power dissipation
1.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя3400
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current5.6A
Power dissipation1.4W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.