Антава

MICROCHIP

Диод 30KPA58AE3/TR13

30KPA58AE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
30 kW
Max. off-state voltage
58 V
Breakdown voltage
64.8 V
Max. forward impulse current
327.9 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя30KPA58AE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation30 kW
Max. off-state voltage58 V
Breakdown voltage64.8 V
Max. forward impulse current327.9 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусP600
МонтажTHT — в отверстия
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-55...175 °C
Manufacturer standard package800pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 30kW; 64.8V; 327.9A; unidirectional; P600; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.