MICROCHIP
Диод 30KPA51CAE3/TR13
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 51 V
- Breakdown voltage
- 57 V
- Max. forward impulse current
- 350.7 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Корпус
- P600
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | 30KPA51CAE3/TR13 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 51 V |
| Breakdown voltage | 57 V |
| Max. forward impulse current | 350.7 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Корпус | P600 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 50 µA |
| Peak pulse power dissipation | 30 kW |
| Количество каналов | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
| Рабочая температура | -55...175 °C |
| Manufacturer standard package | 800pcs. |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 57V; 350.7A; bidirectional; P600; 30kW; Ch: 1; reel,tape
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.