Антава

MICROCHIP

Диод 30KPA258CAE3/TR13

30KPA258CAE3/TR13
Type of diode
TVS
Max. off-state voltage
258 V
Breakdown voltage
288.2 V
Semiconductor structure
bidirectional
Корпус
P600
Монтаж
THT — в отверстия

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителя30KPA258CAE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Max. off-state voltage258 V
Breakdown voltage288.2 V
Semiconductor structurebidirectional
КорпусP600
МонтажTHT — в отверстия
Peak pulse power dissipation30 kW
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-55...175 °C
Manufacturer standard package800pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 288.2V; bidirectional; P600; 30kW; Ch: 1; reel,tape

Документация

Документы пока не предоставлены.