Антава

MICROCHIP

Диод 30KPA216AE3/TR13

30KPA216AE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
30 kW
Max. off-state voltage
216 V
Breakdown voltage
241.3 V
Max. forward impulse current
86.9 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя30KPA216AE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation30 kW
Max. off-state voltage216 V
Breakdown voltage241.3 V
Max. forward impulse current86.9 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусP600
МонтажTHT — в отверстия
Leakage current2 µA
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-55...175 °C
Manufacturer standard package800pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 30kW; 241.3V; 86.9A; unidirectional; P600; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.