TOSHIBA

Транзистор 2SK2009(TE85L,F)

ТранзисторИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 0.2 A
Рассеиваемая мощность: 0.2 W
Gate-source voltage: ±20 V
On-state resistance: 2 Ω

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	2SK2009(TE85L,F)
Производитель	TOSHIBA
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	30 V
Drain current	0.2 A
Рассеиваемая мощность	0.2 W
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 200mA; 200mW

Документация

Документы пока не предоставлены.