Антава

TOSHIBA

Транзистор 2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ)
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-5 A
Рассеиваемая мощность
20 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя2SJ668(TE16L1,NQ)
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-5 A
Рассеиваемая мощность20 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; 20W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя