ONSEMI
Транзистор 2SC5566-TD-E
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 50 V
- Collector current
- 4 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.3 W
- Корпус
- SOT89
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 702 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%186,35 ₽
Сумма · с НДС 22%186,35 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 186,35 ₽ | |
| от 10 | 117,42 ₽ | |
| от 50 | 90,46 ₽ | |
| от 100 | 80,33 ₽ | |
| от 500 | 59,71 ₽ | |
| от 1000 | 53,01 ₽ | |
| от 2000 | 51,20 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2SC5566-TD-E |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 50 V |
| Collector current | 4 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Корпус | SOT89 |
| Current gain | 200...560 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 400 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.